CSD18541F5

Name: CSD18541F5
Brand: Texas Instruments

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR

在产3-SMD, No Lead模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	777 pF @ 30 V
制造商	Texas Instruments
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	FemtoFET™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
最大功耗	500mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)