CSD18512Q5B

Name: CSD18512Q5B
Brand: Texas Instruments

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
基础料号	CSD18512
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7120 pF @ 20 V
制造商	Texas Instruments
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	NexFET™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	211A (Tc)
最大功耗	139W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)