CSD18511Q5A

Texas Instruments

CSD18511Q5A

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 24A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5850 pF @ 10 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.45V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C159A (Tc)
最大功耗104W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-VSONP (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)