CSD18511KTT

Name: CSD18511KTT
Brand: Texas Instruments

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 100A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5940 pF @ 20 V
制造商	Texas Instruments
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	NexFET™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	194A (Ta)
最大功耗	188W (Ta)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)