CSD17581Q3A

Texas Instruments

CSD17581Q3A

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3640 pF @ 15 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta)
最大功耗2.8W (Ta), 63W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-VSONP (3x3.3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)