CSD17318Q2

Texas Instruments

CSD17318Q2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.1mOhm @ 8A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds879 pF @ 15 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
最大功耗16W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WSON (2x2)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)