CSD16407Q5

Texas Instruments

CSD16407Q5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2660 pF @ 12.5 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 100A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-VSONP (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)