CSD16340Q3

Texas Instruments

CSD16340Q3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 20A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 12.5 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 60A (Tc)
最大功耗3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)