CSD13383F4

Texas Instruments

CSD13383F4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds291 pF @ 6 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列FemtoFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装3-PICOSTAR

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)