CSD13303W1015

Texas Instruments

CSD13303W1015

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

在产6-UFBGA, DSBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715 pF @ 6 V
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列NexFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
最大功耗1.65W (Ta)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)