TSM950N10CW

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM950N10CW

Datasheet

模拟与电源

100V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480 pF @ 50 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
最大功耗9W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)