TSM6502CR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6502CR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
基础料号TSM6502
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc), 18A (Tc)
Power - Max40W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PDFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)