TSM4936DCS

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4936DCS

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 5.9A, 10V
基础料号TSM4936
配置2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds610pF @ 15V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.9A (Ta)
Power - Max3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)