TSM300NB06LDCR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06LDCR

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5A, 10V
基础料号TSM300
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds966pF @ 30V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 24A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 40W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PDFNU (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)