TSM300NB06CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06CR RLG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 30 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 27A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 56W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-PDFN (5.2x5.75)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)