TSM130NB06LCR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM130NB06LCR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2175 pF @ 30 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 51A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 83W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-PDFN (5.2x5.75)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)