TSM052N06PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM052N06PQ56 RLG

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3686 pF @ 30 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗83W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PDFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)