TQM150NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TQM150NB04CR RLG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1044 pF @ 20 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 41A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 56W (Tc)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101