TQM130NB06CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TQM130NB06CR RLG

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2234 pF @ 30 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 50A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 83W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PDFNU (5x6)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)