TQM076NH04LDCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TQM076NH04LDCR RLG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 20A, 10V
配置2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2006pF @ 25V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max55.6W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PDFN (5x6)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101