BSS123W RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

BSS123W RFG

Datasheet

模拟与电源

100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 160mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 50 V
制造商Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160mA (Ta)
最大功耗298mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SOT-323

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)