STW9N150

STMicroelectronics

STW9N150

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3255 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列PowerMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大功耗320W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)