STW75N65DM6-4

Name: STW75N65DM6-4
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 37.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 100 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
最大功耗	480W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)