STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

STW68N65DM6-4AG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 36A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5900 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列MDmesh™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
最大功耗480W (Tc)

机械

封装Tube
供应商器件封装TO-247-4

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101