STW68N65DM6

STMicroelectronics

STW68N65DM6

模拟与电源

DISCRETE

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3528 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大功耗431W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)