STW60NE10

STMicroelectronics

STW60NE10

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3

停产/老旧TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5300 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态停产/老旧
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗180W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度175°C (TJ)