STW56N65M2-4

STMicroelectronics

STW56N65M2-4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 24.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列MDmesh™ M2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)
最大功耗358W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装TO-247-4

环境

工作温度150°C (TJ)