通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | FDmesh™ II |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| 最大功耗 | 160W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
环境
| Grade | Automotive |
|---|---|
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |