STV300NH02L

STMicroelectronics

STV300NH02L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO

停产/老旧PowerSO-10 Exposed Bottom Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7055 pF @ 15 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™ III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大功耗300W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerSO-10 Exposed Bottom Pad
供应商器件封装10-PowerSO

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)