STV160NF02LT4

STMicroelectronics

STV160NF02LT4

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO

停产/老旧PowerSO-10 Exposed Bottom Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 15 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Tc)
最大功耗210W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerSO-10 Exposed Bottom Pad
供应商器件封装10-PowerSO

环境

工作温度175°C(TJ)