STU6NF10

STMicroelectronics

STU6NF10

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 6A IPAK

在产TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大功耗30W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装TO-251 (IPAK)

环境

工作温度-65°C~175°C(TJ)