STTH12012TV1

STMicroelectronics

STTH12012TV1

Datasheet

模拟与电源

DIODE MODULE GP 1200V 60A ISOTOP

在产ISOTOP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STTH12012
Diode Configuration2 Independent
制造商STMicroelectronics
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)125 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.25 V @ 60 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)60A
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 1200 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Tube
Package / CaseISOTOP
供应商器件封装ISOTOP®

环境

Operating Temperature - Junction150°C (Max)