STT5N2VH5

STMicroelectronics

STT5N2VH5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V SOT23-6

已停产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds367 pF @ 16 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列STripFET™ V
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tj)
最大功耗1.6W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)