STT2PF60L

STMicroelectronics

STT2PF60L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6

停产/老旧SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds313 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™ II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
最大功耗1.6W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6

环境

工作温度150°C (TJ)