STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics

STS8DN6LF6AG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 4A, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1340pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ F6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Power - Max3.2W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101