STS5DP3LLH6

STMicroelectronics

STS5DP3LLH6

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2.5A, 10V
基础料号STS5D
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds639pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列DeepGATE™, STripFET™ H6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Power - Max2.7W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度150°C (TJ)