STS4C3F60L

STMicroelectronics

STS4C3F60L

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2A, 10V
基础料号STS4C
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1030pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3A
Power - Max2W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)