STS1DNC45

STMicroelectronics

STS1DNC45

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 500mA, 10V
基础料号STS1D
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SuperMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

电气

漏源电压450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA
Power - Max1.6W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度150°C (TJ)