STS1DN45K3

STMicroelectronics

STS1DN45K3

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 500mA, 10V
基础料号STS1D
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 25V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列SuperMESH3™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

电气

漏源电压450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA
Power - Max1.3W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度150°C (TJ)