STS10P4LLF6

STMicroelectronics

STS10P4LLF6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 10A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3525 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ F6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗2.7W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度150°C (TJ)