STR2P3LLH6

STMicroelectronics

STR2P3LLH6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds639 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列STripFET™ H6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大功耗350mW (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度150°C (TJ)