STPSC4H065DI

STMicroelectronics

STPSC4H065DI

Datasheet

模拟与电源

DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS

在产TO-220-2 Insulated, TO-220AC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STPSC4
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-2 Insulated, TO-220AC
供应商器件封装TO-220AC ins

环境

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C