STPSC10H065DLF

STMicroelectronics

STPSC10H065DLF

Datasheet

模拟与电源

DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STPSC10
Capacitance @ Vr, F595pF @ 0V, 1MHz
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 650 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

机械

Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (8x8) HV

环境

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C