STPSC10065G2-TR

STMicroelectronics

STPSC10065G2-TR

Datasheet

模拟与电源

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Capacitance @ Vr, F670pF @ 0V, 1MHz
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
系列ECOPACK®2
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr130 µA @ 650 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装D2PAK

环境

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C