STP60NE06L-16

STMicroelectronics

STP60NE06L-16

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4150 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗150W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度175°C (TJ)