STP50N65DM6

STMicroelectronics

STP50N65DM6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 33A TO220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 16.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列MDmesh™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
最大功耗250W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)