STP4NB100

STMicroelectronics

STP4NB100

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列PowerMESH™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度150°C (TJ)