STP35N60M2-EP

STMicroelectronics

STP35N60M2-EP

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V TO220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STP35
FET TypeN-Channel
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列MDmesh™ M2-EP
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度150°C(TJ)