STP26N60M2

STMicroelectronics

STP26N60M2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STP26
FET TypeN-Channel
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列MDmesh™ M2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗169W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220