STP180N4F6

STMicroelectronics

STP180N4F6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STP180
FET TypeN-Channel
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列STripFET™ F6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大功耗190W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220